FCH76N60N datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ


  • Маркировка
    FCH76N60N
  • Производитель
    Fairchild Semiconductor
  • Описание
    Fairchild Semiconductor FCH76N60N Configuration: Single Continuous Drain Current: 76 A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 76A Drain To Source Voltage (vdss): 600V Drain-source Breakdown Voltage: 600 V Fet Feature: Standard Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Forward Transconductance Gfs (max / Min): 90 S Gate Charge (qg) @ Vgs: 285nC @ 10V Gate-source Breakdown Voltage: +/- 30 V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 12385pF @ 100V Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Power - Max: 543W Power Dissipation: 543 W Rds On (max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 38A, 10V Resistance Drain-source Rds (on): 28 mOhms Series: SupreMOS?„? Transistor Polarity: N-Channel Vgs(th) (max) @ Id: 4V @ 250?µA Product Category: MOSFET RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 30 V Resistance Drain-Source RDS (on): 28 mOhms Forward Transconductance gFS (Max / Min): 90 S Factory Pack Quantity: 150
  • Количество страниц
    8 шт.
  • Форматы файла
    HTML, PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
 Скачать datasheet FCH76N60N.pdf
Файл формата Pdf 504,36 KB
Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Где можно купить





Новости электроники

Еще новости

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.